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在日前于美國加州舉行的2011年臺積電技術(shù)研討會（Technology Symposium）上，該公司透露了更多有關(guān)18英寸晶圓制造計劃的細(xì)節(jié)。根據(jù)業(yè)界消息，臺積電正全速進(jìn)軍18英寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域，主要目的除了降低制造成本，也試圖借此領(lǐng)先諸如Globalfoundries、三星（Samsung）、聯(lián)電（UMC）等競爭對手一步。

臺積電進(jìn)軍18英寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域還有另一個動機——根據(jù)該公司資深研發(fā)副總裁蔣尚義（Shang-Yi Chiang）的說法，一旦進(jìn)入18英寸晶圓時代，該公司所需的工程師人數(shù)也將減少；他在接受EETimes訪問時表示，臺積電進(jìn)入18英寸晶圓制造約需十年的過渡期，屆時所需的工程師人數(shù)會比現(xiàn)在少7，000人。

蔣尚義指出，臺積電進(jìn)軍18英寸晶圓制造有兩個考量：首先，該公司認(rèn)為隨著時間推移，將越來越難招募到「好的工程師人才」；其次，臺積電最后僅需要少數(shù)幾座18英寸晶圓廠，就能在未來滿足客戶的需求。與12英寸晶圓廠相較，新一代晶圓尺寸整體生產(chǎn)力預(yù)計可增加1.8倍。晶圓廠變少，就不需要那么多工程師。

另一方面，臺積電也預(yù)期將增加研發(fā)與資本支出，特別是在該公司持續(xù)致力于縮短制程技術(shù)學(xué)習(xí)曲線。而估計18英寸晶圓廠營運成本約需100億美元，相關(guān)制程設(shè)備成本也將飆升。

蔣尚義表示，臺積電的18英寸晶圓制造將起始于20納米制程節(jié)點；該公司一開始打算在新竹的Fab12晶圓廠建置一條18英寸晶圓試產(chǎn)線、采用20納米制程，時程大概在2013到2014年間。而屆時臺積電的12英寸晶圓廠也將進(jìn)入20納米制程；蔣尚義表示，該公司的20納米制程初產(chǎn)事實上也將以12英寸晶圓廠為主。

接下來，臺積電計劃在臺中建置首座18英寸晶圓廠，也就是Fab15，量產(chǎn)時程預(yù)定在2015到2016年之間。在起步階段，該18英寸晶圓廠會采用20納米制程，然后進(jìn)入14納米節(jié)點；而到14納米節(jié)點，臺積電打算在電晶體結(jié)構(gòu)上進(jìn)行轉(zhuǎn)換。

在20納米及以上節(jié)點，臺積電將繼續(xù)采用傳統(tǒng)以bulk CMOS為基礎(chǔ)的平面晶體管，但從14納米節(jié)點開始，該公司將由bulk CMOS轉(zhuǎn)向FinFET結(jié)構(gòu)。也就是說，未來臺積電將在Fab 15進(jìn)行14納米FinFET的量產(chǎn)。